在金属氧化物或者其他含氧化合物中,晶格中的氧原子(氧离子)脱离,导致氧缺失,形成的空位,简单来说,就是指氧离子从它的晶格中逸出而留下的缺陷 , 氧空位是半导体材料尤其是金属氧化物半导体中最常见的一种缺陷,对半导体材料的性能有着重要影响 。
【氧化物界面如何产生氧空位】按照所处的空间位置不同,氧空位可以分为表面氧空位和体相氧空位,如果按照氧空位对光催化性能影响不同进行更细致的分类,体相氧空位又可以分为次表面氧空位和体相氧空位两种,如果按照束缚电子数进行分类,可以分为束缚双电子型氧空位、束缚单电子型氧空位和无束缚电子型氧空位 。
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