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1、首先去除硅片表面的有机污染物,因为有机物会覆盖硅片表面的一部分,导致氧化膜和相关污染物难以去除;
2、然后溶解氧化膜,因为氧化层是“污染陷阱”,也会引入外延缺陷;最后,颗粒、金属和其他污染物被去除,硅晶片的表面被钝化 。
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