晶闸管 可控硅的特性与分类

特性
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路 , 等等 。 可控硅的主要参数
 
可控硅的主要参数有:
 
1、 额定通态平均电流IT在一定条件下 , 阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值 。
 
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号 , 阳极正向电压还未超过导能电压时 , 可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压 。 可控硅承受的正向电压峰值 , 不能超过手册给出的这个参数值 。
 
3、 反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压 , 处于反向关断状态时 , 可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压 。 使用时 , 不能超过手册给出的这个参数值 。
 
4、 控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下 , 阳极---阴极间加有一定电压时 , 可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压 。
 
5、 维持电流IH在规定温度下 , 控制极断路 , 维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流 。 许多新型可控硅元件相继问世 , 如适于高频应用的快速可控硅 , 可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅 , 可以用正触发信号使其导通 , 用负触发信号使其关断的可控硅等等 。
 
分类
可控硅有多种分类方法 。
 
(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种 。
 
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅 。
 
(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型 。 其中 , 金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种 。
 
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种 。 通常 , 大功率可控硅多采用金属壳封装 , 而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装 。
 
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅 。
 
(六)过零触发-一般是调功 , 即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发 , 必须是过零点才触发 , 导通可控硅 。
 
(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅 , 常见的是移相触发 , 即通过改变正弦交流电的导通角(角相位) , 来改变输出百分比 。
【晶闸管 可控硅的特性与分类】